Fast Switch Thyristor (hágæða YC röð)

Lýsing

GE framleiðslustaðallinn og vinnslutæknin var kynnt og notuð af RUNAU Electronics síðan 1980.Fullkomið framleiðslu- og prófunarástand var algjörlega í samræmi við kröfuna um bandaríska markaðskröfu.Sem brautryðjandi í framleiðslu á tyristor í Kína, hafði RUNAU Electronics veitt Bandaríkjunum, Evrópulöndum og notendum á heimsvísu list rafeindatækja ríkisins.Það er mjög hæft og metið af viðskiptavinum og fleiri stórir sigrar og verðmæti voru sköpuð fyrir samstarfsaðila.

Kynning:

1. Flís

Thyristor flísinn framleiddur af RUNAU Electronics er hertu málmblöndurtækni sem notuð er.Kísil- og mólýbdenskífan var hertuð til að blanda með hreinu áli (99,999%) undir miklu lofttæmi og háhitaumhverfi.Gjöf hertueiginleika er lykilatriðið sem hefur áhrif á gæði tyristors.Þekking RUNAU Electronics auk þess að stjórna dýpt álfelgursmóta, flatneskju yfirborðs, holrými álfelgurs auk fullrar dreifingarkunnáttu, hringhringamynsturs, sérstakrar hliðarbyggingar.Einnig var sérstök vinnsla notuð til að draga úr endingartíma burðarbúnaðar tækisins, þannig að innri endursamsetningarhraði burðarefnis er mjög hraðari, öfugt endurheimtarhleðsla tækisins minnkar og skiptihraði er bættur þar af leiðandi.Slíkum mælingum var beitt til að hámarka hraðskiptaeiginleikana, á-ástandseiginleika og bylstraumseiginleika.Afköst og leiðni virkni tyristors er áreiðanleg og skilvirk.

2. Encapsulation

Með ströngu eftirliti með flatleika og samhliða samsvörun mólýbdenskífunnar og ytri pakkans, verður flísin og mólýbdenskífan samþætt ytri pakkanum þétt og alveg.Slíkt mun hámarka viðnám bylstraums og hár skammhlaupsstraums.Og mæling á rafeindauppgufunartækni var notuð til að búa til þykka álfilmu á yfirborði kísilskúffu, og rúþeníumlag sem er húðað á mólýbdenyfirborði mun auka varmaþreytuþol til muna, endingartími hraðskipta tyristors mun aukast verulega.

Tæknilegar upplýsingar

1. Hraðrofi tyristor með álflís framleiddur af RUNAU Electronics sem getur veitt fullgildar vörur samkvæmt bandarískum staðli.
2. I_GT, V_GTog ég_Heru prófunargildin við 25 ℃, nema annað sé tekið fram, eru allar aðrar breytur prófunargildin undir T_jm;
3. I²t=ég²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal hálfbylgjustraumsgrunnbreidd.Við 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Við 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ég²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Færibreyta: